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主要從事IC回收、芯片回收、DDR回收，等電子產品回收。回收IC種類繁多包含貼片IC,IC,通訊IC,手機IC,回收手機IC,回收手機配件,內存IC,通信IC,機頂盒
IC,家電IC, 音響IC,電源IC,鼠標IC,音頻IC,數碼IC；回收芯片包含集成電路,二極管, 發光管,貼片電容, 貼片電阻,貼片電感,內存FLASH,南北橋芯片,鉭電容,晶振,
三極管,單片機,IGBT模塊,芯片,液晶芯片,霍爾元件 電腦周邊配件等一切電子料。除收購IC回收、芯片回收、DDR回收外，還回收手機配件,電子產品回收,電子元件回
收,電子垃圾回收,電子回收。
回收芯片可以有效地減少廢棄電子產品對環境的影響，同時也可以回收有價值的金屬和材料，為環保和資源回收做出貢獻。回收芯片需要的設備和技術，同時也需要合法的回收渠道和處理方式，以確保回收過程的安全和合法性。
晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N表示在高
純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓下產生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都
是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。
對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱
為發射極。
（Emitter）、基極b(Base)和集電極c(Collector)。
當b點電位e點電位零點幾伏時，發射結處于正偏狀態，而C點電位b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態，集電極電源Ec要基極電源Eb。
意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流
子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱
為發射極電流了。
由于基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合
掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得
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