穩定性氧化鋯
外　　觀： 白色粉末
性　　質： 、無味，化學性質穩定，熱導率低，耐熱沖擊性好。
用　　途： 適用于制造各類機械部件、切削工具、、結構陶瓷、電子陶瓷、生物陶瓷、耐火材料、光通訊器件、氧傳感器、固體氧燃料電池等。

深圳市華宇金屬材料有限公司位于深圳市的中部工業發達區龍華。公司產品延續深圳市新興金屬科技有限公司，創建于2005年，向PCB電鍍、化工廠家、化工設備，真空離子鍍膜、吸氣劑、鉻鋯銅合金、磁性材料，鋁鋯中間合金，等離子切割等領域的廠家供應有色金屬的鈦，鋯，鉿，鈮，鉭等的原材料及產品：
1）金屬鈦、結晶鈦、鈦板，鈦絲、鈦棒、鈦卷帶、鈦箔、鈦籃、鈦包銅、鈦管、鈦冷卻管、鈦螺絲等。
2）金屬鋯、高純鋯、海綿鋯，碘化鋯、結晶鋯、鋯錠、鋯籃、鋯靶、鋯屑、鋯邊角、鋯棒、鋯板、鋯管、鋯鋼反應釜罐，鋯盤管，鋯冷卻管，鋯絲、鋯箔、鋯帶、鋯舟、鋯杯、鋯螺絲、鋯包銅，鋯鐵，鋁鋯中間合金等。
3）結晶鉿，高純鉿，海綿鉿，鉿絲、鉿靶、鉿棒、鉿下角料、鉿錠、鉿屑等。4）金屬鉭，鉭板，鉭絲，鉭棒，鉭靶等。
5）金屬鈮，鈮錠，鈮板，鈮棒，鈮板，鈮粉等。
公司和內地、臺灣、韓國、泰國的許多企業建立了長期的合作關系。公司秉誠以誠信為本、質量、用戶至上的經營理念，堅持“誠實守信，精益求精”的精神宗旨，竭誠為廣大廠商提供的產品和服務，確保公司與客戶的持續發展。

磁控濺射鍍膜靶材：
金屬鋯濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材 ，硅化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，化鉛靶材(PbAs)，化銦靶材(InAs)。
高純高密度濺射靶材有：
濺射靶材（純度：99.9%-99.999%）

磁控濺射原理：鋯靶在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還司進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

我們曾在多種農藥設備上進行過工業鋯的應用研究，如在農藥反應罐中進行了鋯的實際應用與掛片試驗。農藥水解反應的條件為：20%硫酸+甲萘胺；溫度220-250℃；15個大氣壓（1520kPa)，一個流程時間為7h，在此條件下設備腐蝕嚴重，1mm厚普通鋼板，反應后即腐蝕穿孔。原采用罐內搪12- 14mm厚的鉛層為防腐層，則易污染環境，鉛的抗腐蝕也較差，一個搪鉛反應罐，僅能使用50-60批料即穿孔漏液。鋯掛片試驗條件為：生產介質20%硫酸+甲萘胺；生產200-250℃；壓力14-15個大氣（1419- 1520kPa)。結果表明，隨時間增加，鋯母材與焊縫區氧含量稍有增加，但增加速度較緩，對鋯的力學性能未引起惡化。而氫含量卻在這種介質腐蝕中逐漸下降，可減少脆性，對鋯有利，年腐蝕率僅為 0.024-0.04mm/a。

鋯管-----玻璃鋼反應釜有如下優點：
1、使用壽命長，至少3年以上。
2、免維護，省卻設備的維修費用及停工成本費用。
3、高工效，因鋯金屬導熱性能強，其加熱及降溫速度快。5方母液、8平方換熱面積，從120℃降至40℃不超過90分鐘。蒸汽與冷卻水可隨時切換。
4、安全性能高，由于玻璃鋼的柔韌性，不會像普通釜那樣由于掉黏而被迅速腐蝕，產生漏液的危險。
5、耐腐蝕性能更優，能耐住氣態氯及氣態氫的混合腐蝕，在雙甘膦及草甘膦的生產中優勢更為明顯。