各種類型的濺射薄膜材料，鉿靶，鋯靶在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機(jī)的顯示器制造；在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。
市場概況
日本。就美國而言．約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商，其中大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設(shè)立分公司。近段時間，的一些國家和地區(qū)，如臺灣．韓國和新加坡，就建立了越來越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。
對靶材廠商而言，這是相當(dāng)重要的新興市場。中國靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴(kuò)大自己的規(guī)模和生產(chǎn)技術(shù)，國內(nèi)一線生產(chǎn)制造靶材的已經(jīng)達(dá)到國外的技術(shù)水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿足臺灣50%的靶材需要。

可根據(jù)用戶需要制作。
鋯盤管換熱器:
規(guī)格；標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，功率有1.5KW-50KW,
形態(tài)；根據(jù)加熱功率，可制成“L”型，“U” “0"型等，并可附有過熱保護(hù)裝置。
用途；適用于鈦無法勝任的酸、堿介質(zhì)中（氫氟酸除外）。
在聚合物的生產(chǎn)中，鋯的應(yīng)用是代替石墨作熱交換器。鋯熱交換器的成本雖比石墨約高4倍，比鈦約高 2倍，但它經(jīng)久耐用足以彌補成本費。

我們曾在多種農(nóng)藥設(shè)備上進(jìn)行過工業(yè)鋯的應(yīng)用研究，如在農(nóng)藥反應(yīng)罐中進(jìn)行了鋯的實際應(yīng)用與掛片試驗。農(nóng)藥水解反應(yīng)的條件為：20%硫酸+甲萘胺；溫度220-250℃；15個大氣壓（1520kPa)，一個流程時間為7h，在此條件下設(shè)備腐蝕嚴(yán)重，1mm厚普通鋼板，反應(yīng)后即腐蝕穿孔。原采用罐內(nèi)搪12- 14mm厚的鉛層為防腐層，則易污染環(huán)境，鉛的抗腐蝕也較差，一個搪鉛反應(yīng)罐，僅能使用50-60批料即穿孔漏液。鋯掛片試驗條件為：生產(chǎn)介質(zhì)20%硫酸+甲萘胺；生產(chǎn)200-250℃；壓力14-15個大氣（1419- 1520kPa)。結(jié)果表明，隨時間增加，鋯母材與焊縫區(qū)氧含量稍有增加，但增加速度較緩，對鋯的力學(xué)性能未引起惡化。而氫含量卻在這種介質(zhì)腐蝕中逐漸下降，可減少脆性，對鋯有利，年腐蝕率僅為 0.024-0.04mm/a。