AS9378主要應(yīng)用領(lǐng)域：第三代功率半導(dǎo)體器件、大功率發(fā)光二極管、大功率芯片、光通訊 TO 器件、大功率模塊和其他需要高導(dǎo)熱、導(dǎo)電和高強(qiáng)度粘接的場合。

大面積無壓燒結(jié)銀的主要成分：納米銀粉、有機(jī)載體等，可以栽無壓的條件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面積的芯片。

大面積燒結(jié)銀的導(dǎo)熱系數(shù)為： 200W/m·K， （激光閃射法）；剪切強(qiáng)度為60 (MPa) 5*5mm （金-金，25℃）。

以上數(shù)據(jù)信息是基于我們在溫度 25℃，濕度 70％的環(huán)境下對(duì)產(chǎn)品研究測試所得到的典型數(shù)據(jù)，僅供
客戶使用時(shí)參考，并不能完全于某個(gè)特定環(huán)境進(jìn)能達(dá)到的全部數(shù)據(jù)。

大面積燒結(jié)銀的使用要求
1. 使用前回溫至室溫；
2. 使用前在行星攪拌機(jī)中進(jìn)行 2500rpm/30s 攪拌處理；
3. 框架表面鍍金、銀，芯片背面鍍金、銀

大面積燒結(jié)銀AS9378的樣本提供的技術(shù)參數(shù)僅供參考，它們會(huì)隨不同的工況條件，如設(shè)備類型、材質(zhì)、工藝條件等改變。
使用產(chǎn)品之前，請仔細(xì)閱讀材料安全資料，產(chǎn)品及產(chǎn)品使用說明：