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設計與仿真編輯在直拉法生長硅單晶的過程中,硅單晶生長的成功與否以及質量的高低是由熱場的溫度分布決定的。溫度分布合適的熱場,不僅硅單晶生長順利,而且品質較高;如果熱場的溫度分布不是很合理,生長硅單晶的過程中容易產生各種缺陷,影響質量,情況嚴重的出現變晶現象生長不出來單晶。因此在投資硅單晶生長企業的前期,一定要根據生長設備,配置出合理的熱場,從而保生產出來的硅單晶的品質。在直拉硅單晶生長工藝中,一般采用溫度梯度來描述熱場的溫度分布情況,其中在固液界面處的溫度梯度為關鍵。數值模擬是在一個低成本的情況下,利用電腦計算提供的詳盡資料,用以支持真正的(且昂貴)實驗。
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一種實用的單晶爐提拉速度控制系統\前言半導體材料是半導體工業的基礎材料 ,在半導體材料中用量和用途廣的是半導體硅。當今 95 %以上的半導體器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成電路是硅集成電路。生產集成電路所需要的單晶硅 ,是在硅結晶生長開始時 ,用低速提拉、生長過程均速提拉的辦法制成的。提拉速度的控制性能將直接影響到晶體的質量。當今 ,隨著 IT產業的迅速發展 ,單晶硅生產市場需求劇,研制一種滿足工藝要求、低成本的提拉速度控制系統具有重要的實際意義。分子泵回收,真空泵回收,真空流量計回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,采用三相橋式全控整流電路將交流電整流為直流電,例如據把一根金屬圓柱體放在有交變中頻電流的感應圈里,金屬圓柱體沒有與感應線圈直接接觸,通電線圈本身溫度已很低,可是圓柱體表面被加熱到發紅,甚熔化,而且這種發紅和熔化的速度只要調節頻率大小和電流的強弱能實現。