聯(lián)系人鮑紅美固化時(shí)間24小時(shí)

怎樣清除殘留的硅膠？

在膠固化之前，用一鋒利小刀（或干凈棉質(zhì)擦布）即可刮除未固化的膠體，然后再使用異丙醇等溶劑清洗剩余物。膠固化后，可先用小刀刮除盡可能多的硅膠，然后使用溶劑（120#溶劑油、酒精、二甲苯和丙酮等）去除各種殘余物，浸泡并使其分解。

二、如何避免氣泡的產(chǎn)生？

1、推薦使用低粘度及操作時(shí)間長的產(chǎn)品，這樣可在材料固化前將空氣排出

2、保持固化溫度在45℃以下，避免溫度過高而導(dǎo)致氣孔無法排出

4、怎樣確定配比？

性能參考
外觀 固化前:青灰色膏狀物 固化后:青灰色粉末堅(jiān)硬固體 顏色可根據(jù)客戶要求更改。

密度 20℃ 1.65~1.75g/cm

不揮發(fā)份≥60% 1.4細(xì)度:≤9μm

流淌性≤6.4mm 1.6 附著力 好;

耐介質(zhì)性 重量變化 2號航空煤油、75號航空汽油、20號航空滑油 ≤±5%

耐壓力 23℃ ≥8.8 Mpa;150℃ ≥6.86 Mpa;200℃ ≥6.86 Mpa

腐蝕性:對不銹鋼、鋼、鎳基高溫合金均不腐蝕

固化條件:23±2℃×48h 或100℃×30min 。

光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。
以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。
光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以提高極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及的EUV(<13.5nm)線水平。