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在該爐工作前，由設(shè)于排氣口 13上的真空泵將爐內(nèi)空氣排盡，然后從 該爐上端充入。工作時(shí)，爐內(nèi)的石英坩堝上方不斷有一氧化硅和粉塵 雜質(zhì)生成，因此在不斷充入的同時(shí)，所述真空泵同時(shí)將一氧化硅、粉 塵雜質(zhì)與等的混合氣體排出，其中，氣體的流動(dòng)過(guò)程為從石英坩堝上 方經(jīng)坩堝支持器14與發(fā)熱體16之間的間隙，以及發(fā)熱體16與保溫筒17 之間的間隙流入氣流導(dǎo)向裝置20,然后經(jīng)圖6中的氣流導(dǎo)向裝置20的一對(duì) 通氣孔2-3、通氣管19從排氣口 13排出。本實(shí)施例的氣流導(dǎo)向裝置20可有效減小爐內(nèi)空間(尤其是坩堝支持器 14下方的空間)，便于排氣，且利于減少熱能和的消耗量；另外，

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單晶爐熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與仿真單晶直徑在生長(zhǎng)過(guò)程中可受到溫度，提拉速度與轉(zhuǎn)速，坩堝跟蹤速度與轉(zhuǎn)速，保護(hù)氣體的流速等因素的影響。其中溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內(nèi)在質(zhì)量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過(guò)檢測(cè)才能獲知。溫度分布合適的熱場(chǎng)，不僅單晶生長(zhǎng)順利，而且品質(zhì)較高；如果熱場(chǎng)的溫度分布不是很合理,生長(zhǎng)單晶的過(guò)程中容易產(chǎn)生各種缺陷,影響質(zhì)量，情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長(zhǎng)不出來(lái)單晶。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，一種實(shí)用的單晶爐提拉速度控制系統(tǒng)\前言半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)材料 ,在半導(dǎo)體材料中用量和用途廣的是半導(dǎo)體硅。當(dāng)今 95 %以上的半導(dǎo)體器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成電路是硅集成電路。生產(chǎn)集成電路所需要的單晶硅 ,是在硅結(jié)晶生長(zhǎng)開(kāi)始時(shí) ,用低速提拉、生長(zhǎng)過(guò)程均速提拉的辦法制成的。提拉速度的控制性能將直接影響到晶體的質(zhì)量。當(dāng)今 ,隨著 IT產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展 ,單晶硅生產(chǎn)市場(chǎng)需求劇,研制一種滿足工藝要求、低成本的提拉速度控制系統(tǒng)具有重要的實(shí)際意義。