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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設備和工藝比較簡單，容易實現自動控制，生產，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質濃度，可以制備低電阻率單晶。據統計，世界上硅單晶的產量中70%～80%是用直拉法生產的。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，本發明的直拉式單晶生長爐中，經 輸入管輸入的氣壓為0. 8 x 103pa0. 9 x l0a,流量為30L/min。 該流量不但不影響該爐中單晶的生長，平均每個直拉式單晶生長爐每 天可少消耗1440L，有效降低了生產成本，且利于在硅單晶生長過程 中單晶分子排列結構的整齊性，還利于提高電阻率的均布性。(2)本發明 的直拉式單晶生長爐中，碗形的氣流導向裝置設于坩堝支持器下方和爐底部的排氣口之間，且氣流導向裝置的中軸孔及一對電極孔分別與該爐的石 墨中軸及一對電極孔配合設置，有效地減小了爐內空間，便于迅速及時地 將爐內的一氧化硅與的混合氣體排出，且利于減少熱能和的消耗量，使原有的引晶功率從65KW減到61KW;另外，由于該爐的排氣口與氣流 導向裝置的各通氣孔相連通，

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全文摘要為減少直拉式單晶生長爐的消耗的技術問題，本發明提供了一種直拉式單晶生長爐，其包括輸入管、與輸入管相連通的環形氣體分布器；其特征在于經輸入管輸入的氣壓為0.8×10³Pa0.9×10³Pa，流量為30L/min。還包括設于坩堝支持器下方和排氣口之間的碗形氣流導向裝置；其包括中軸孔、一對電極孔、以及與排氣口相對的通氣孔；石墨中軸穿過所述氣流導向裝置的中軸孔，所述電極柱分別穿過所述電極孔，排氣口與氣流導向裝置的各通氣孔相連通，氣流導向裝置的上端部設于保溫筒與發熱體之間。