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專利文獻CN1205362C公開了 一種直拉硅單晶爐熱場的氣流控制方 法及裝置，其包括在單晶爐晶體生長室內的石墨加熱器和保溫筒間裝有密 封導氣裝置，使含有一氧化硅的氣體的氣流經密封導氣裝置的導氣管 及排氣口，在真空泵的作用下，排出爐外。密封導氣管裝置由導氣管、底 座、密封環、排氣口所組成，安裝在石墨加熱器和保溫筒之間。上述現有技術的不足之處在于單晶爐的坩堝支持器下方的混合氣體 不能有效的排出，從而使混合氣體中的一氧化硅對加熱器和坩堝進行腐蝕， 影響單晶爐的使用壽命。且其向爐內充入時的充氣氣壓在1. 3xi0a 以上，導致其流量較大，故而消耗量大，生產成本較高。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，產品介紹：SG-XQL1400型箱式真空氣氛爐以硅碳棒為加熱元件，，采用智能化控溫系統，移相觸發、可控硅控制；爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，保溫效果好；雙層殼體結構，帶有風冷和水冷系統，能快速降溫，爐門配有循環水冷，防止密封圈過快老化，保爐門與爐膽的可靠密封。主要用途和適用范圍\可應用于電子元器件、新型材料及粉體材料的真空或氣氛條件下的熱處理工藝。也用于冶金、機械、輕工、商檢、高等院校及科研部門、工礦企業電子陶瓷產品的預燒、燒結、釬焊等工藝。主要功能和特點：1、

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原理編輯，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過石墨加熱器產生的高溫將其熔化；然后，對熔化的硅液稍做降溫，使之產生一定的過冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長；接著，控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3～5mm的細頸，用于消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產生的原子排列的位錯，這個過程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個過程稱為放肩；接著，突然提高拉速進行轉肩操作，使肩部近似直角；然后，進入等徑工藝，通過控制熱場溫度和晶體提升速度，生長出一定直徑規格大小的單晶柱體；后，待大部分硅溶液都已經完成結晶時，再將晶體逐漸縮小而形成一個尾形錐體，稱為收尾工藝。這樣一個單晶拉制過程基本完成，進行一定的保溫冷卻后可以取出。