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具體實施方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明，一種連續(xù)拉晶單晶爐，它包括括底座1、主爐室2、副爐室3、下驅(qū)動裝置4和上驅(qū)動裝置5，所述主爐室2和下驅(qū)動裝置4均安裝在底座1上，所述主爐室2內(nèi)設(shè)置有爐室坩堝21，所述下驅(qū)動裝置4和主爐室坩堝21相連，以便通過下驅(qū)動裝置4驅(qū)動主爐室坩堝21升降，所述副爐室3和主爐室2相連通，所述上驅(qū)動裝置5安裝在副爐室3的上端，以便通過上驅(qū)動裝置5驅(qū)動拉晶，其特征在于，它還包括：外部加料器6，所述外部加料器6內(nèi)設(shè)置有加料腔61，所述加料腔61內(nèi)設(shè)置有加料坩堝62，所述外部加料器6的蓋裝有上蓋63；

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發(fā)明內(nèi)容、本發(fā)明的目的是提供一種易于及時排出爐內(nèi)的混合氣體，且可減少熱 能及消耗的直拉式單晶生長爐。實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是提供一種直拉式單晶生長爐，其包括 輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器；其特征在于經(jīng)氬 氣輸入管輸入的氣壓為0. 8xl0a0. 9xl0a,流量為 30L/min。上述技術(shù)方案中，還包括設(shè)于直拉式單晶生長爐的坩堝支持器下方和 該爐底部的排氣口之間的氣流導(dǎo)向裝置；該氣流導(dǎo)向裝置為碗形，其包括 設(shè)于氣流導(dǎo)向裝置底部的中軸孔、設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)的 一對電極孔、 以及設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)并與該爐的排氣口相對的通氣孔；該爐的石墨中 軸穿過所述氣流導(dǎo)向裝置的中軸孔，該爐的 一對電極柱分別穿過所述電極 孔，該爐的排氣口與氣流導(dǎo)向裝置的各通氣孔相連通，氣流導(dǎo)向裝置的上 端部設(shè)于該爐的保溫筒與發(fā)熱體之間。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶硅生長爐的特點HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設(shè)計。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉(zhuǎn)動，便于裝料和維護等。爐筒升降支撐采用雙立柱設(shè)計，提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺的上面，便于平臺下面設(shè)備的維護。爐筒升降采用絲杠提升技術(shù)，簡便干凈。全自動控制系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計，維護方便，可靠性高，抗干擾性好。雙攝像頭實時采集晶體直徑信息。液面測溫確保下籽晶溫度和可重復(fù)性。爐內(nèi)溫度或加熱功率控制方式可選，保控溫精度。質(zhì)量流量計控制流量。真空計結(jié)合電動蝶閥實時控制爐內(nèi)真空度。