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除塵器內的空間由圓柱容器經上、下蓋密封形成，整個空間分成兩大區域：除塵區域和排氣區域。含塵氣流由切線進氣口進入除塵區域，沿外壁由下而上螺旋形旋轉運動。氣流作旋轉運動時，塵粒在慣性離心力的推動下，要向圓柱容器內壁移動。到達內壁的塵粒在氣流和重力的共同作用下，沿壁面落到容器底部。這種情況，離心力是除塵器的主要作用力，塵粒與氣流分離界面是圓柱容器的內壁。還有，圓柱容器內設置內外兩層金屬網，內層金屬網纏繞于內側的6 根金屬桿上。外層金屬網纏繞于外側的8 根金屬桿上。這14 根金屬桿被固定在上盤和盤上。它們固聯于圓柱容器上法蘭。圓柱容器設置的排氣筒是排氣區域。

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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設備和工藝比較簡單，容易實現自動控制，生產，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質濃度，可以制備低電阻率單晶。據統計，世界上硅單晶的產量中70%～80%是用直拉法生產的。江南電力光伏科技有限，引進消化吸收國外技術研發環保清潔可再生新能源產品——太陽能光伏發電站和風力發電站的相關設備。其中硅單晶生長爐設備有兩大系列三個品種，具有自主知識產權。生產的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主知識產權，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級和太陽能級單晶硅棒。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，采用輻射管加熱，輻射管是由耐火陶瓷盤固定的電阻絲裝于一個密封耐熱鋼管中，這樣的結構使爐內氣氛對加熱元件不會有影響） 連續式電阻爐A． 推送式爐 B． 傳送帶式爐 C． 網帶爐（適用于薄小零件的退火、燒結、釬焊及固溶處理。結構類似傳送帶式爐）D． 連續式轉筒爐 E． 輥底爐（料盤在輥子上運動）F． 轉底爐,