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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設備和工藝比較簡單，容易實現自動控制，生產，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質濃度，可以制備低電阻率單晶。據統計，世界上硅單晶的產量中70%～80%是用直拉法生產的。江南電力光伏科技有限，引進消化吸收國外技術研發環保清潔可再生新能源產品——太陽能光伏發電站和風力發電站的相關設備。其中硅單晶生長爐設備有兩大系列三個品種，具有自主知識產權。生產的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主知識產權，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級和太陽能級單晶硅棒。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，而采用有限元法數值模擬是一種優化單晶爐設計的重要工具。本文對采用矮加熱器的復合式熱場進行了數值模擬,得到了流場分布圖和熱場溫度分布圖。對新型熱屏和矮加熱器對晶體生長的影響進行了系統的理論分析和實驗驗工作。結果表明,新型熱屏不僅起到導流筒的作用,改進了流場,使單晶氧含量下降;而且熱屏解決了大直徑單晶生長中結晶潛熱難以散發的問題,大大提高了拉晶速率,降低了生產成本。

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　真空技術在冶金、化工、輕工、食品、醫藥等領域得到了十分廣泛的應用，然而在這些領域大都存在塵埃對真空系統的危害問題。為保護真空系統或真空泵不受粉塵和固體顆粒污染和損壞，管路中需配置真空除塵器和真空過濾器。它們可保護真空閥門不被阻塞，避免閥板關閉不嚴造成漏氣，保護測量壓力的真空規管不受污損，防止泵受損而工作失常等，對真空設備的凈化和平穩、持續工作均很重要。除塵機理及過程從氣體中捕集分離粒子的除塵機理，主要有以下幾個方面:、重力氣流中的塵粒可以依靠重力自然沉降，從氣流中進行分離。由于塵粒的沉降速度一般較小，這個機理只適用于粗大的塵粒、離心力利用機械力來捕集分離含塵氣流中的粉塵，離心力除塵裝置是其中有效的除塵裝置。它對粒徑較小塵粒的分離捕集非常有效。含塵氣流作圓周運動時，