晶圓倒片機是用來調整集成電路產線上晶圓生產材料序列位置的一款設備，它的任務是將產線上的晶圓通過制程需要進行分批、合并、翻轉后進行下一道程序，這就要求晶圓倒片機擁有的傳送效率和潔凈程度。

晶圓隨著芯片技術升級和降低成本需要而不斷發展。在降低成本方面，通過不斷變大晶圓尺寸以容納更多電路和減少廢棄比例就是晶圓的歷史發展趨勢。從1970年代至今，晶圓尺寸已經由過去的100mm（4英寸）發展至當前的300mm（12英寸）。根據IC Insight統計，2016年全球晶圓出貨量為10738百萬平方英寸，其中300mm晶圓占全球晶圓產能的63.6%，預計到2021年，全球將有123家12英寸晶圓廠，產能占比將達到71.2%。由于目前18英寸晶圓技術尚未成熟，且成本高昂，需求不足，未來幾年內300mm（12英寸）晶圓仍將是主流技術路線

在許多晶圓的切割期間經常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學放大和對準運算的設備。當用窄跡道切割晶圓時的一個常見的推薦是，選擇盡可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20μm)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結果，其壽命期望和工藝穩定性都比較厚的刀片差。對于50~76μm跡道的刀片推薦厚度應該是20~30μm。

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓,在半導體芯片的制作過程中,在晶圓表面形成多個芯片區域后,需要先在間隔處劃出隔道而后再將一整塊晶圓裂片成多個單的芯片。

現有晶圓隔道通常采用裂片刀沿著切割線進行切開,使得容易造成芯片隔道交錯區域邊緣崩裂的同時產生的碎屑不好排出,并且現有的晶圓在裂片時,由于受到不同方向的力進行裂片,裂片效率較低,同時容易讓芯片發生位移,從而產生劃痕造成損傷。

晶圓測試是對晶片上的每個晶粒進行針測，在檢測頭裝上以金線制成細如毛發之探針，與晶粒上的接點接觸，測試其電氣特性，不合格的晶粒會被標上記號，而后當晶片依晶粒為單位切割成立的晶粒時，標有記號的不合格晶粒會被淘汰，不再進行下一個制程，以免徒增制造成本。