AS9330半燒結銀的 導熱系數范圍80W/mK-100W/ mK，在銀、銅和鎳鈀金引線框架的封裝內電阻更低的熱阻（Rth）- 0.4K/W。
半燒結銀AS9330和普通銀材料相比有更全面的導熱和可操作性能 ，AS9330使用制程簡便，與普通導電銀膠工藝相似。
AS9330結合了性能、可靠性和可加工性。對于那些希望找到焊料的無鉛替代品（無需昂貴或復雜的加工，又能確保與傳統材料同等或更優的性能）的封裝而言，AS9330燒結銀可以全面滿足他們的需求，同樣也為實現第三代半導體功率的電子互聯提供很好解決方案。
半燒結銀AS9330的工藝流程如下：1 清潔芯片和被粘結的界面2 假設界面表面能太低，建議提高界面表面能.
通過以上步驟，可以降低芯片封裝納米燒結銀的燒結溫度、減少燒結裂紋、降低燒結空洞率、提高燒結體的致密性和熱導率。
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