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設計與仿真編輯在直拉法生長硅單晶的過程中，硅單晶生長的成功與否以及質量的高低是由熱場的溫度分布決定的。溫度分布合適的熱場，不僅硅單晶生長順利,而且品質較高；如果熱場的溫度分布不是很合理，生長硅單晶的過程中容易產生各種缺陷，影響質量，情況嚴重的出現變晶現象生長不出來單晶。因此在投資硅單晶生長企業的前期，一定要根據生長設備，配置出合理的熱場,從而保生產出來的硅單晶的品質。在直拉硅單晶生長工藝中,一般采用溫度梯度來描述熱場的溫度分布情況，其中在固液界面處的溫度梯度為關鍵。數值模擬是在一個低成本的情況下,利用電腦計算提供的詳盡資料，用以支持真正的（且昂貴）實驗。

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浮力提拉單晶爐提拉機構特性分析\一、引言 浮力提拉單晶爐(簡稱FTD)是利用浮力原理設計成的提拉式單晶爐帕,十多年來,用它先后生長成功了多種晶體〔2一5〕。這種爐子容易制造,成本低,易于推廣,目前國內已有幾個廠家使用它生產泥酸鏗單晶。作為一種發明,FTD也受到肯定和重視。可是,FTD在問世以后,卻沒有進行深入探討。雖然FTD的設計有過幾次變化,但由于沒有掌握設計的則,致使FTD存在不同程度的提拉不均勻現象,嚴重地影響了它的推廣普及。為了改善它的提拉特性,我們研究了FTD浮力提拉原理,對多臺FTD作了分析對比,由此找出了提拉不均勻性產生的根源;明確了FTD提拉機構的設計要領。希望這-一卜作能夠推動FTD的發展.并有助于單晶的生長研究和生產。二、FTD浮力提拉原理、提拉不均性的產生習C^l 奮幽1吮止~乙二丁~二二二Dr1.甲一一一一一一1。} 分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，原理編輯，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過石墨加熱器產生的高溫將其熔化；然后，對熔化的硅液稍做降溫，使之產生一定的過冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長；接著，控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3～5mm的細頸，用于消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產生的原子排列的位錯，這個過程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個過程稱為放肩；接著，突然提高拉速進行轉肩操作，使肩部近似直角；然后，進入等徑工藝，通過控制熱場溫度和晶體提升速度，生長出一定直徑規格大小的單晶柱體；后，待大部分硅溶液都已經完成結晶時，再將晶體逐漸縮小而形成一個尾形錐體，稱為收尾工藝。這樣一個單晶拉制過程基本完成，進行一定的保溫冷卻后可以取出。