真空鍍膜設備存有著氣密性差的問題，假如鍍膜設備維護保養進行后，能做一次氣密性試驗，就可以規避許多不合格產品的造成，做到節省成本費用的效果。

鍍膜設備應該在高真空下工作，真空值的優劣可以直接危害表層的鍍膜的質量。有時鍍膜設備的真空值抽不出來或是真空值不太好，可能是連接頭松脫或是有焊接發生脫焊。傳統式的氣密性試驗方式應該鍍膜設備關機，充氮，再在猜測有漏的位置涂上肥皂泡，整個過程用時費事極易錯判，針對微小的泄露沒法檢驗。諾益氦質譜檢漏儀運用氦氣做為示蹤氣體，小漏率低于5E-13Pam3/s，安全環保，檢漏時無需關機，立即在機械泵的旁通連接測漏儀便可以迅速有效的進行檢驗了。

對比幾個真空鍍膜機的檢漏方法：
氦質譜檢漏該工藝是真空鍍膜機真空檢漏技術里不可缺少的一種技術，因為檢漏率，簡單易使用，儀器設備反映靈敏，，不容易受別的氣體的影響，在檢漏中獲得了廣泛運用。氦質譜檢漏儀是依據質譜學基本原理，用氮氣作示漏氣體做成的氣密性檢測儀器。由離子源、解析器、回收器、冷陰極水解規構成的質譜分析室和吸氣系統及電氣一部分等構成。質譜分析室里的鎢絲發送出去的電子，在房間內不停地震蕩，并與房間內空氣和經漏孔進入到屋內的氦氣互相撞擊使其水解成共價鍵，這種氦離子在加快靜電場的作用下進入到磁場，因為洛倫茲力作用產生偏轉，產生圓弧狀軌道，更改加速電壓可使不一樣品質的離子通過磁場和接受縫抵達接收極而被檢驗。噴氦法、吸氦法是氦質譜檢漏儀在檢漏中經常使用的這兩種方式。采用真空法檢漏，鍍膜機不需要停機，直接在真空泵的旁路利用波紋管接入檢漏儀，在懷疑有漏的地方噴氦氣，即可完成檢漏。

蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。 對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。

真空鍍膜機的工作原理如下：
在鍍膜領域，鍍膜后薄膜樣品的厚度是影響薄膜性能的一個重要因素。因此，當評價某薄膜樣品的性能時，需要檢測該薄膜樣品不同厚度下的性能。對于真空鍍膜的情形，這往往需要進行多次試樣的制備。而這樣多次制備樣品存在兩個問題：，不同次生長的樣品，儀器的狀態不同，以至于影響薄膜樣品性能的因素可能不僅僅是厚度；其次，真空鍍膜實驗裝取樣品需要重新進行真空的獲得，非常耗時。增加了生產和檢測的成本。
因此，提供一種多功能磁控濺射鍍膜系統，本系統由真空鍍膜系統和手套箱系統集成而成，可在高真空蒸鍍腔室中完成薄膜蒸鍍，并在手套箱高純惰性氣體氛圍下進行樣品的存放、制備以及蒸鍍后樣品的檢測。蒸發鍍膜與手套箱組合，實現蒸鍍、封裝、測試等工藝全封閉制作，使整個薄膜生長和器件制備過程高度集成在一個完整的可控環境氛圍的系統中，消除有機大面積電路制備過程中大氣環境中不穩定因素影響，保障了、大面積有機光電器件和電路的制備。

真空鍍膜工藝在傳感器方面的運用在傳感器中，多選用那些電氣性質相關于物理量、化學量及其變化來說，極為敏感的半導體資料。此外，其中大多數運用的是半導體的外表、界面的性質，需求盡量增大其面積，且能工業化、低報價制造、因而選用薄膜的狀況許多。